El BC547B NPN es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “NPN”, formado por dos capas de material tipo “N”, separadas por otra de tipo “P”. El BC547B NPN esta protegido por un encapsulado de plástico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.

Aplicaciones de salida de deflexión horizontal de TV en color

• •Alta velocidad.
• •Alto voltaje de ruptura (VCBO=1500V).
• •Alta confiabilidad (adopción del proceso HVP).
• •Adopción del proceso MBIT.
• •Diodo amortiguador en chip

Transistor 2SD325 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación  y conmutación de potencia media. 

Buena linealidad de hFE

Aplicaciones: Amplificación y conmutación

Número de Parte: IRG4PC50FD G4PC50FD

Polaridad de transistor: N-Channel

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF540 es un mosfet de canal único N de 100v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

¿Para qué es?

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.

Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.

¿Cómo Funciona?

Los Mosfet IRF540 son silicio en modo de mejora de canal N transistores de efecto de campo de potencia de puerta. Están diseñados, probados y garantizado para soportar un nivel especifico de energía en el desglose del modo de operación de avalancha del modo de mejora del canal P Transistores de efecto de campo de potencia. . Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.

Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Tipo de transistor HEXFET Tensión drenaje-fuente 75V Corriente del drenaje 130A Potencia 330W Carcasa TO220AB Tensión puerta-fuente 20V Resistencia en estado de transferencia 7.8mO Resistencia térmica conector-carcasa 0.45K/W

ID (TC = 25 ° C) max : 130A ID max: 70A ID (@ TC = 100 ° C) max :70A Montaje THT Ptot max: 330W

IRFZ44N MOSFET Canal N 55V - 49A TO-220

Por Ferretrónica

IRFZ44N MOSFET Canal N 55V - 49A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.

Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales

como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.

Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.

IRF9640 es un MOSFET de canal P fabricado en TO-220 y otros paquetes. La corriente de drenaje continua del transistor es -11A, por lo tanto, puede conducir una carga máxima de -11A a través del transistor con un voltaje de carga máximo de -200V.

El transistor se puede utilizar para una amplia variedad de fines de conmutación y amplificación. También es capaz de ofrecer una velocidad de conmutación rápida, por lo que se puede utilizar en aplicaciones en las que la conmutación rápida es crucial.

La resistencia de drenaje a fuente del transistor es 0.500. Cuanto menor sea la resistencia de la fuente, menor será el desperdicio de energía, lo que hace que la potencia del transistor sea eficiente. Además, el transistor tiene requisitos de conducción bajos que lo hacen capaz de derivarse directamente de circuitos integrados, microcontroladores y plataformas electrónicas como Arduino.

Un Transistor MOSFET IRF9540N es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) diseñado para manejar niveles de potencia significativos.

• Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 0,165 Ω (típ.)
• Alta admitancia de transferencia directa: ⎪Yfs⎪ = 12 S (típ.)
• Baja corriente de fuga: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)
• Modo mejorado: Vth = 3,0 a 5,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N se produce utilizando la banda plana patentada de ON Semiconductor Semiconductor y la tecnología DMOS.

Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha.

Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.