IRF9540N TRANSISTOR MOSFET CANAL P 100V 23A
5.000 $
Impuestos incluidos
Un Transistor MOSFET IRF9540N es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) diseñado para manejar niveles de potencia significativos.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 23 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
- Carga de compuerta (Qg): 64.7 nC
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.117 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220AB
IRF9540N
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Un Transistor MOSFET IRF9540N es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) diseñado para manejar niveles de potencia significativos.