IRF640N TRANSITOR MOSFET CANAL N 200V 18A
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.
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El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
CARACTERISTICAS GENERALES
- Baja resistencia térmica
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dinámica dv / dt
- Cambio rápido
- Totalmente avalancha nominal
- Facilidad de paralelismo
- Requisito de manejo simple
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Polaridad de transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
- Corriente de avalancha IAR: 18 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
- Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
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