![Irf640 Irf640n Mosfet Canal N 200v 18a Irf640 Irf640n Mosfet Canal N 200v 18a](https://pelv.com.co/60-large_default/irf640n-transitor-mosfet-canal-n-200v-18a.jpg)
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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o Mosfet (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640N es un Mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo es robusto y de baja resistencia.
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El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
CARACTERISTICAS GENERALES
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
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