K20A60D TRANSISTOR MOSFET CANAL N 600V 20A
8.500 $
Impuestos incluidos
- Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 0,165 Ω (típ.)
- Alta admitancia de transferencia directa: ⎪Yfs⎪ = 12 S (típ.)
- Baja corriente de fuga: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)
- Modo mejorado: Vth = 3,0 a 5,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Drain-source voltage Voss 600 V
- Gate-source voltage VGss ±30 V
- Drain curren! DC (Note 1) lo 20 A
- Drain curren! "Pulse (t = 1ms)
- (Note 1)" lop 40
- Drain power dissipation (Te = 25'C) Po 45 w
- "Single pulse avalanche energy
- (Note 2)" EAs 144 mJ
- Avalancha curren! (Note 3) IAR 20 A
- Repetitive avalanche energy EAR 45 mJ
- Channeltemperatura Tch 150 ·e
- Storage temperature range Tstg -55 to 150 ·e
K20A60D
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- Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 0,165 Ω (típ.)
- Alta admitancia de transferencia directa: ⎪Yfs⎪ = 12 S (típ.)
- Baja corriente de fuga: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)
- Modo mejorado: Vth = 3,0 a 5,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)