IRF540 TRANSISTOR CANAL N 100V 23A
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3.000 $
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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF540 es un mosfet de canal único N de 100v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

¿Para qué es?

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.

Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.

¿Cómo Funciona?

Los Mosfet IRF540 son silicio en modo de mejora de canal N transistores de efecto de campo de potencia de puerta. Están diseñados, probados y garantizado para soportar un nivel especifico de energía en el desglose del modo de operación de avalancha del modo de mejora del canal P Transistores de efecto de campo de potencia. . Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.

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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 72 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines
  • Peso: 2 g

DATASHEET

IRF540
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