IRF1407 TRANSISTOR MOSFET N 75 V - 130 A - TO220
6.500 $
Impuestos incluidos
Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Tipo de transistor HEXFET Tensión drenaje-fuente 75V Corriente del drenaje 130A Potencia 330W Carcasa TO220AB Tensión puerta-fuente 20V Resistencia en estado de transferencia 7.8mO Resistencia térmica conector-carcasa 0.45K/W
ID (TC = 25 ° C) max : 130A ID max: 70A ID (@ TC = 100 ° C) max :70A Montaje THT Ptot max: 330W
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- ID (TC = 25 ° C) max : 130A
- ID max: 70A
- ID (@ TC = 100 ° C) max :70A
- Montaje THT
- Ptot max: 330W
- Paquete TO-220
- Polaridad N
- QG 160 nC
- Qgd 54nC
- RDS (encendido) ( 10V) máximo: 7.8 mO
- RDS (encendido) max : 7.8 mO
- RthJC max : 0.45 K / W
- Tj max : 175 ° C
- VDS max: 75 V
- VGS max : 20 V
IRF1407
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Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Tipo de transistor HEXFET Tensión drenaje-fuente 75V Corriente del drenaje 130A Potencia 330W Carcasa TO220AB Tensión puerta-fuente 20V Resistencia en estado de transferencia 7.8mO Resistencia térmica conector-carcasa 0.45K/W
ID (TC = 25 ° C) max : 130A ID max: 70A ID (@ TC = 100 ° C) max :70A Montaje THT Ptot max: 330W