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SCR de potencia de 1000V, 25A. Diseñado para aplicaciones de propósito general.

CARACTERÍSTICAS

  • Repetitive peak off-state voltage: máx 1000V
  • RMS on-state current: 25A
  • Temperatura de operación: - 40°C ~ 125°C
  • Temperatura de almacenamiento: - 40°C ~ 150°C
  • Encapsulado: TO-220AB
8.000 $
Disponible para entrega inmediata: 10

El 2SC4793 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 1A Poder disipad 2W Carcasa TO220AB Montaje THT Clase de empaquetado tubo Frecuencia 100MHz

3.500 $
Disponible para entrega inmediata: 10

TIP42C Transistor BJT PNP -100V / -6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 65W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 15 y 75. 

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver 

0 $
Disponible para entrega inmediata: 10

Con la novedosa tecnología de IGBT trench, la nueva serie de IGBT trench de Fairchild ofrece un rendimiento óptimo para los electrodomésticos de consumo y las aplicaciones de TV PDP donde la baja conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.

12 $
DisponIble para entrega inmediata: 8
  • • La placa de mica es papel de mica con resina de silicona pegando la temperatura y presionando.
500 $
Disponible para entrega inmediata: 96

2SA1943 Transistor BJT PNP -230V / -15A TO-247 Original. Este transistor es capaz de disipar hasta 150W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160. 

Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.

8.500 $
Disponible para entrega inmediata: 242
TRANSISTORES SEMI-DOMINO 2SA1943 - 2SC5200
  • Pack

2SA1943 Transistor BJT PNP -230V / -15A TO-247 Original. Este transistor es capaz de disipar hasta 150W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

2SC5200 Transistor BJT NPN 230V - 15A TO-247 Original. Este transistor es capaz de disipar hasta 150W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

19.000 $
Disponible para entrega inmediata: 198

El BC337.25 es un transistor bipolar epitaxial planar de silicio NPN de 45 V más adecuado para su uso en etapas de controlador y salida del amplificador de audio.

600 $
Disponible para entrega inmediata: 20

Estos transistores tienen alta resistencia dieléctrica, velocidad de conmutación rápida, gran disipación de potencia, buen rendimiento de corriente, una gran opción para su dispositivo electrónico.

500 $
Disponible para entrega inmediata: 20
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