FQP19N20 TRANSISTOR MOSFET N-CANAL 19 A, 200 V
4.500 $
Impuestos incluidos
Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N se produce utilizando la banda plana patentada de ON Semiconductor Semiconductor y la tecnología DMOS.
Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha.
Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
Política de seguridad
Aseguramos la confidencialidad e integridad de tus datos y compras.
Política de entrega
Garantizamos que tus productos sean entregados en excelente estado.
Política de devolución
Para mayor seguridad e información puedes revisar nuestras politcas de cambio.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Tipo de Canal N
- Corriente Máxima Continua de Drenaje 19 A
- Tensión Máxima Drenador-Fuente 200 V
- Tipo de Encapsulado TO-220
- Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
- Conteo de Pines 3
- Resistencia Máxima Drenador-Fuente 150 mΩ
- Modo de Canal Mejora
- Tensión de umbral de puerta mínima 3V
- Disipación de Potencia Máxima 140 W
- Configuración de transistor Simple
- Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
- Material del transistor Si
- Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
- Longitud 10.2mm
- Número de Elementos por Chip 1
- Ancho 4.7mm
- Carga Típica de Puerta @ Vgs 31 nC a 10 V
- Tensión de diodo directa 1.5V
- Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
- Serie QFET
- Altura 15.38mm
FQP19N20
6 Artículos
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.
Categorias populares
Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N se produce utilizando la banda plana patentada de ON Semiconductor Semiconductor y la tecnología DMOS.
Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha.
Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.