IRF9640 TRANSISTOR MOSFET CANAL P 200V 11A
5.000 $
Impuestos incluidos
IRF9640 es un MOSFET de canal P fabricado en TO-220 y otros paquetes. La corriente de drenaje continua del transistor es -11A, por lo tanto, puede conducir una carga máxima de -11A a través del transistor con un voltaje de carga máximo de -200V.
El transistor se puede utilizar para una amplia variedad de fines de conmutación y amplificación. También es capaz de ofrecer una velocidad de conmutación rápida, por lo que se puede utilizar en aplicaciones en las que la conmutación rápida es crucial.
La resistencia de drenaje a fuente del transistor es 0.500. Cuanto menor sea la resistencia de la fuente, menor será el desperdicio de energía, lo que hace que la potencia del transistor sea eficiente. Además, el transistor tiene requisitos de conducción bajos que lo hacen capaz de derivarse directamente de circuitos integrados, microcontroladores y plataformas electrónicas como Arduino.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: P
- ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 11 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 44 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220
Replacement and Equivalent
2SJ513, CEP14P20, IRF9640PBF, 9640S, IRFP9240, MTW14P20
IRF9640
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IRF9640 es un MOSFET de canal P fabricado en TO-220 y otros paquetes. La corriente de drenaje continua del transistor es -11A, por lo tanto, puede conducir una carga máxima de -11A a través del transistor con un voltaje de carga máximo de -200V.
El transistor se puede utilizar para una amplia variedad de fines de conmutación y amplificación. También es capaz de ofrecer una velocidad de conmutación rápida, por lo que se puede utilizar en aplicaciones en las que la conmutación rápida es crucial.
La resistencia de drenaje a fuente del transistor es 0.500. Cuanto menor sea la resistencia de la fuente, menor será el desperdicio de energía, lo que hace que la potencia del transistor sea eficiente. Además, el transistor tiene requisitos de conducción bajos que lo hacen capaz de derivarse directamente de circuitos integrados, microcontroladores y plataformas electrónicas como Arduino.