El IR2156 incorpora un medio puente de alto voltaje controlador de puerta con un oscilador programable y un estado diagrama para formar un IC de control de balasto completo.

los Las funciones del IR2156 incluyen precalentamiento programable y frecuencias de funcionamiento, tiempo de precalentamiento programable, tiempo muerto programable y protección programable contra sobrecorriente.

función de reinicio, se han incluido en el diseño.

El UTC 2SA1013 es un transistor de silicio epitaxial PNP, utiliza La tecnología avanzada de UTC para proporcionar a los clientes un alto BVCEO y alta ganancia de corriente continua, etc.

Características: Amplificador de potencia de conmutación de &

Valoración actual: 2 A

Voltaje nominal: 50 V

RoHS: Sí

/Case del paquete: TO-92 M, Tipo de transistor PNP

El BC547B NPN es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “NPN”, formado por dos capas de material tipo “N”, separadas por otra de tipo “P”. El BC547B NPN esta protegido por un encapsulado de plástico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.

La serie CBM8511, CBM8512, CBM8513, CBM8514 (versión dual y apagado) de amplificadores operacionales CMOS utiliza técnicas de puesta a cero automática para proporcionar simultáneamente un voltaje de compensación muy bajo (40 μV máx.) y una deriva casi nula con el tiempo y la temperatura.

Esta familia de amplificadores tiene ruido, compensación y potencia ultrabajos. Estos amplificadores operacionales en miniatura de alta precisión compensan la alta impedancia de entrada y la entrada de riel a riel y la oscilación de salida de riel a riel. ms. Se pueden utilizar suministros simples o dobles desde +2,5 V (±1,25 V) hasta +5,5 V (±2,75 V).

Aplicaciones de salida de deflexión horizontal de TV en color

• •Alta velocidad.
• •Alto voltaje de ruptura (VCBO=1500V).
• •Alta confiabilidad (adopción del proceso HVP).
• •Adopción del proceso MBIT.
• •Diodo amortiguador en chip

Transistor 2SD325 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación  y conmutación de potencia media. 

Buena linealidad de hFE

Aplicaciones: Amplificación y conmutación

Número de Parte: IRG4PC50FD G4PC50FD

Polaridad de transistor: N-Channel

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF540 es un mosfet de canal único N de 100v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

¿Para qué es?

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.

Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.

¿Cómo Funciona?

Los Mosfet IRF540 son silicio en modo de mejora de canal N transistores de efecto de campo de potencia de puerta. Están diseñados, probados y garantizado para soportar un nivel especifico de energía en el desglose del modo de operación de avalancha del modo de mejora del canal P Transistores de efecto de campo de potencia. . Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.

Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Tipo de transistor HEXFET Tensión drenaje-fuente 75V Corriente del drenaje 130A Potencia 330W Carcasa TO220AB Tensión puerta-fuente 20V Resistencia en estado de transferencia 7.8mO Resistencia térmica conector-carcasa 0.45K/W

ID (TC = 25 ° C) max : 130A ID max: 70A ID (@ TC = 100 ° C) max :70A Montaje THT Ptot max: 330W

IRFZ44N MOSFET Canal N 55V - 49A TO-220

Por Ferretrónica

IRFZ44N MOSFET Canal N 55V - 49A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.

Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales

como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.

Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.