30F124 TRANSISTOR 300V 200A MOSFET BIPOLAR IGBT
9.000 $
Impuestos incluidos
El transistor 30F124 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Disipación total del dispositivo (Pc): 25
- Tensión colector-emisor (Vce): 300
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.3
- Tensión emisor-compuerta (Veg):
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 200(pulse)
- Empaquetado / Estuche: TO220SIS
30F124
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El transistor 30F124 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.